芯片制造获重大突破

8月3日，IBM在纽约宣布，该公司完善了高速晶体管的生产工艺，这种晶体管可用于生产服务器和主机所需的高性能微型芯片，以及电池驱动手提式设备所需的节能型芯片。这项被称为“绝缘体硅”的技术是芯片生产方式的一大飞跃。

目前，芯片的集成度是用芯片上两个晶体管之间的距离来衡量的，这个距离称为线宽。随着芯片加工技术的进步，目前比较先进的芯片线宽已只有0．18微米到0．25微米，在这个距离上电流就会干扰晶体管工作，进而影响整块芯片的性能。IBM独有的SOI技术采用一个绝缘“覆盖涂层”来保护芯片上几百万个微小的晶体管，减少那些消耗能量和阻碍机器性能的有害电效应。IBM的工程师们已经制造出性能提高35％的SOI芯片，这就意味着将可制造速度更快的计算机和实现更高的通讯速度。例如，原设计运行速度400MHz的微处理器，如果用SOI技术制造，速度可以超过500MHz。

SOI芯片的能耗只有目前芯片的1／3。芯片运行所需能量消耗降低之后，可以大大延长蜂窝电话、手提电脑、个人数字辅助设备等便携产品所用电池的寿命。IBM相信，SOI技术能耗低的优点，是未来制造多功能、便携式的各种“信息仪器”的关键。